据业内人士透露三星电子的3纳米GAA工艺仍面临漏电等关键技术问题
发布时间：2021-08-29 23:30 来源：IT之家 阅读量：8465
据业内人士透露，三星电子的3纳米GAA工艺仍面临漏电等关键技术问题据消息人士称，这种工艺在性能和成本方面可能不如TSMC的3纳米FinFET工艺
根据《电子时报》报告，上述人士表示，三星最早可能在2022年量产其3nm GAA工艺，但由于成本高，性能不理想，可能无法吸引到TSMC 3nm fin fet工艺获得的客户，据说该工艺已经获得了苹果和英特尔的订单。
预计TSMC将在2022年下半年将其3纳米FinFET工艺推向量产CEO魏哲佳在最近的财报发布会上表示，N3将是我们N5的又一次全面扩张，将采用FinFET晶体管结构，为我们的客户提供最佳的技术成熟度，性能和成本
在失去苹果iPhone处理器订单后，三星在尖端芯片的竞争中落后于TSMC据市场观察人士称，从苹果手中夺回订单将是这家韩国供应商赢得3纳米竞争的关键
（责编：安靖）
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